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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess 06.05.2022 OSRAM GmbH Regensburg
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Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Regensburg
Aktualität: 06.05.2022

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06.05.2022, OSRAM GmbH
Regensburg
Entwicklungsingenieur*in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Entwicklung innovativer Epitaxie-Designs mittels GaN-basierten MOCVD-Wachstumsprozessen für (opto)elektronische (µ)LED-Anwendungen Selbständige Planung und Auswertungen von »Designs-of-Experiment«-Versuchen in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis bekannter als auch neu zu entwickelnder Charakterisierungsmethoden, z.B. µ-PL, PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc. Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und gegebenenfalls neuer Anlagenplattformen in die Volumensfertigung Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation und Chipprozessierung in der DOE-Erstellung und -Auswertung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten und/oder eines (Senior)-Projektmanagers, bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch

Berufsfeld

Bundesland

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